Xiamen Municipal Government an Hangzhou Silan Microelectronics hunn e strategesche Kooperatiounsofkommes ënnerschriwwen

D'Xiamen Municipal Government an den Haicang District Government hunn e Kooperatiounsvertrag mat Hangzhou Silan Microelectronics ënnerschriwwen fir eng 8-Zoll SiC Power Device Chip Produktiounslinn am Haicang District ze bauen, déi haaptsächlech SiC-MOSFETs produzéiert. Déi total Investitioun an der éischter Phas ass 7 Milliarden Yuan, an déi zweet Phas Investitioun ass 5 Milliarden Yuan. Silan Micro huet eng Projetsfirma am Haicang Distrikt mat engem registréierte Kapital vu 60 Milliounen Yuan gegrënnt.