Kerajaan Perbandaran Xiamen dan Hangzhou Silan Microelectronics menandatangani perjanjian kerjasama strategik

Kerajaan Perbandaran Xiamen dan Kerajaan Daerah Haicang menandatangani perjanjian kerjasama dengan Hangzhou Silan Microelectronics untuk membina barisan pengeluaran cip peranti kuasa SiC 8 inci di Daerah Haicang yang kebanyakannya menghasilkan SiC-MOSFET. Jumlah pelaburan dalam fasa pertama ialah 7 bilion yuan, dan pelaburan fasa kedua ialah 5 bilion yuan. Silan Micro telah menubuhkan sebuah syarikat projek di Daerah Haicang dengan modal berdaftar sebanyak 60 juta yuan.