A linha de produção do dispositivo de energia SiC de gálio Shilan Ming de Xiamen passou pela aceitação da proteção ambiental

O projeto de construção da linha de produção do dispositivo de energia SiC de gálio de Xiamen Shilan foi aprovado na aceitação de proteção ambiental após a conclusão. O investimento total neste projeto é de 1,5 bilhão de yuans, e produz principalmente chips MOSFET e chips SBD, com uma produção anual de 288.000 peças, respectivamente. A operação experimental está prevista para começar em junho de 2024.