La línea de producción de dispositivos de energía Xiamen Shilan Ming Gallium SiC pasó la aceptación de protección ambiental

El proyecto de construcción de la línea de producción de dispositivos de energía de galio SiC de Xiamen Shilan pasó la aceptación de protección ambiental una vez finalizado. La inversión total en este proyecto es de 1.500 millones de yuanes y produce principalmente chips MOSFET y chips SBD, con una producción anual de 288.000 piezas respectivamente. Se espera que la operación de prueba comience en junio de 2024.