Proizvodna linija napajalne naprave Xiamen Shilan Ming Gallium SiC je prestala okoljevarstveni sprejem

Projekt gradnje proizvodne linije napajalne naprave Xiamen Shilan za galij SiC je po zaključku prestal okoljevarstveni sprejem. Celotna naložba v ta projekt je 1,5 milijarde juanov, proizvaja pa predvsem čipe MOSFET in čipe SBD z letno proizvodnjo 288.000 kosov. Poskusno obratovanje se bo predvidoma začelo junija 2024.