Xiamen Shilan Ming Gallium SiC maitinimo įrenginių gamybos linija išlaikė aplinkos apsaugos priėmimą

Xiamen Shilan galio SiC maitinimo įrenginio gamybos linijos statybos projektas buvo priimtas aplinkos apsaugos srityje. Bendros investicijos į šį projektą yra 1,5 milijardo juanių. Jame daugiausia gaminami MOSFET ir SBD lustai, kurių metinė produkcija yra atitinkamai 288 000 vienetų. Tikimasi, kad bandomoji eksploatacija prasidės 2024 m. birželio mėn.