Xiamen Shilan Ming Gallium SiC línea de producción dispositivo de potencia ohasa aceptación protección ambiental

Xiamen Shilan proyecto de construcción línea de producción dispositivo de potencia SiC galio ohasa aceptación protección ambiental oñemohu'ãvo. Inversión total ko proyecto-pe ha'e 1.500 millones de yuanes, ha principalmente oproduci chips MOSFET ha chips SBD, orekóva producción anual 288.000 pieza respectivamente. Oñeha'ãrõ operación de juicio oñepyrû junio 2024-pe.