芯聯整合形成三大成長曲線

芯聯整合已形成以IGBT、MOSFET、MEMS為主的8吋矽基晶片、模組產線的第一成長曲線；以SiC MOSFET晶片及模組產線為代表的第二成長曲線；以高壓、高功率BCD製程為主的模擬IC為第三成長曲線，三條成長曲線將涵蓋不同的產品領域與應用方向。