Xinlian-integrasjon danner tre hovedvekstkurver
Xinli halvleder
Saida Semiconductor
BCD
De
EMS
IGBT
MEMS
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
De
tomme
produksjon
sak
dekk
base
SiC
2024-12-27 12:06
89
Xinlian Integration har dannet den første vekstkurven av 8-tommers silisiumbaserte brikke- og modulproduksjonslinjer, hovedsakelig IGBT, MOSFET og MEMS, den andre vekstkurven representert av SiC MOSFET-brikke- og modulbaserte produksjonslinjer på høyeffekts BCD-teknologi er den tredje vekstkurven. De tre vekstkurvene vil dekke ulike produktfelt og bruksretninger.
