Синьляньская интеграция формирует три основные кривые роста

Компания Xinlian Integration сформировала первую кривую роста линий по производству 8-дюймовых кремниевых чипов и модулей, в основном IGBT, MOSFET и MEMS; вторая кривая роста представлена ​​линиями по производству высоковольтных микросхем и модулей SiC MOSFET; по технологии BCD высокой мощности — третья кривая роста. Три кривые роста будут охватывать различные области продукции и направления применения.