TSMC បង្កើតបន្ទះឈីបស្ថាបត្យកម្ម CFET ថ្មី។

TSMC បានរួមបញ្ចូលគ្នាដោយជោគជ័យនូវប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រពីរប្រភេទគឺ P-FET និង N-FET ក្នុងការពិសោធន៍ដើម្បីបង្កើតបន្ទះឈីបស្ថាបត្យកម្ម CFET ។ នេះគឺជាការច្នៃប្រឌិតស្ថាបត្យកម្មត្រង់ស៊ីស្ទ័រថ្មីមួយទៀតបន្ទាប់ពីការច្នៃប្រឌិតស្ថាបត្យកម្ម nanosheet ដែលបានអនុម័តក្នុង 2nm ។