colocou em operação com sucesso a primeira linha de produção de wafer de arsenieto de gálio de 6 polegadas

2024-12-27 14:55
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(referida como "Huaxin Microelectronics") anunciou que sua primeira linha de produção de wafer de arsenieto de gálio de 6 polegadas foi oficialmente comissionada e produziu o primeiro wafer HBT de arsenieto de gálio 2um de 6 polegadas. Espera-se que a produção em massa em grande escala seja alcançada no primeiro semestre de 2025. O wafer de arsenieto de gálio tem características de alto ganho e alta eficiência e pode ser usado em módulos avançados de amplificador de potência de telefones celulares 5G Fase 7/8 e Wi-Fi 6/7 e outros equipamentos.