8吋SiC晶圓製造難點解析

8英寸SiC的製造難度之一在於晶錠生長，由6英寸擴徑到8英寸，晶錠生長的難度會倍增。 8吋籽晶品質要求更高，同時需要解決大尺寸帶來的溫場不均勻、氣相原料分佈和輸運效率問題，以及應力增大導致晶體開裂等問題。