Analyse vu Schwieregkeeten an der 8-Zoll SiC Wafer Fabrikatioun

Ee vun de Schwieregkeeten bei der Fabrikatioun vun 8-Zoll SiC ass de Wuesstum vun Ingots Wann den Duerchmiesser vu 6 Zoll op 8 Zoll erweidert gëtt, wäert d'Schwieregkeet vum Ingotwachstum exponentiell eropgoen. D'Qualitéitsufuerderunge fir 8-Zoll Somkristalle si méi héich Zur selwechter Zäit musse Probleemer wéi ongläiche Temperaturfeld verursaacht duerch grouss Gréisst, Gasphase Rohmaterialverdeelung a Transporteffizienzprobleemer, souwéi Kristallrëss verursaacht duerch verstäerkte Stress. geléist.