Анализ сложностей при производстве 8-дюймовых пластин SiC

Одной из трудностей при производстве 8-дюймового SiC является рост слитков. При увеличении диаметра с 6 дюймов до 8 дюймов сложность роста слитков возрастает в геометрической прогрессии. Требования к качеству 8-дюймовых затравочных кристаллов выше. В то же время необходимо устранить такие проблемы, как неравномерность температурного поля, вызванная большим размером, распределением сырья в газовой фазе и проблемами эффективности транспортировки, а также растрескивание кристаллов, вызванное повышенным напряжением. решено.