8 dyuymli SiC gofret ishlab chiqarishdagi qiyinchiliklarni tahlil qilish

8 dyuymli SiC ishlab chiqarishdagi qiyinchiliklardan biri ingotlarning o'sishidir, diametri 6 dyuymdan 8 dyuymgacha kengaytirilganda, ingot o'sishi qiyinligi eksponent ravishda oshadi. 8 dyuymli urug 'kristallari uchun sifat talablari yuqoriroq, shu bilan birga, katta o'lchamlardan kelib chiqadigan notekis harorat maydoni, gaz fazali xom ashyoni taqsimlash va tashish samaradorligi muammolari, shuningdek, stressning kuchayishi natijasida yuzaga kelgan kristall yorilish kabi muammolarni hal qilish kerak. hal qilingan.