Grūtību analīze 8 collu SiC vafeļu ražošanā

Viena no grūtībām 8 collu SiC ražošanā ir lietņu palielināšanās, kad diametrs tiek palielināts no 6 collām līdz 8 collām, stieņu augšanas grūtības palielināsies eksponenciāli. Kvalitātes prasības 8 collu sēklu kristāliem ir augstākas. Tajā pašā laikā ir jānovērš tādas problēmas kā nevienmērīgs temperatūras lauks, ko izraisa liela izmēra, gāzes fāzes izejvielu sadales un transportēšanas efektivitātes problēmas, kā arī kristālu plaisāšana, ko izraisa paaugstināts stress. atrisināts.