Аналіз труднощів у виробництві 8-дюймових SiC пластин

Однією з труднощів у виробництві 8-дюймового SiC є зростання зливків. Коли діаметр збільшено з 6 дюймів до 8 дюймів, складність зростання зливків експоненціально зростатиме. Вимоги до якості 8-дюймових затравкових кристалів є вищими. У той же час необхідно вирішити такі проблеми, як нерівномірне температурне поле, спричинене великим розміром, розподіл сировини в газовій фазі та проблеми з ефективністю транспортування, а також розтріскування кристалів, спричинене підвищеним навантаженням. вирішено.