TSMC in Intel tekmujeta za pod-3n vozlišča

V tekmovanju med TSMC in Intelom za vozlišča pod 3 nm je ključni dejavnik, kdo bo prvi proizvedel visoko zmogljive izdelke z najnižjimi stroški. TSMC je v laboratoriju uspešno izdelal CFET (komplementarni tranzistor z učinkom polja), Intel pa načrtuje, da bo leta 2027 lansiral procesno vozlišče 14A.