Kostenanalyse der Siliziumkarbid-Industriekette: Wertkonzentration in vorgelagerten Gliedern

In der SiC-Industriekette entfallen mit 47 % bzw. 23 % die vorgelagerten Herstellungsverbindungen für das Substrat und die Epitaxieschicht auf den größten Teil der gesamten Gerätekosten. Im Vergleich zu siliziumbasierten Geräten konzentrieren sich die Kosten von SiC-Geräten stärker auf den Upstream-Bereich und der Wert der Midstream- und Downstream-Fertigungs- und Verpackungsverbindungen ist geringer. Dies spiegelt die besonderen Eigenschaften von SiC-Materialien und die Komplexität des Herstellungsprozesses wider.