Análisis de costos de la cadena industrial del carburo de silicio: concentración de valor en los eslabones ascendentes

En la cadena de la industria del SiC, los eslabones de fabricación de sustratos y capas epitaxiales representan la mayor parte del costo total del dispositivo, representando el 47% y el 23% respectivamente. En comparación con los dispositivos basados ​​en silicio, el costo de los dispositivos de SiC está más concentrado en el proceso ascendente, y el valor de los enlaces de fabricación y empaquetado intermedio y posterior es menor. Esto refleja las propiedades especiales de los materiales de SiC y la complejidad del proceso de fabricación.