ການວິເຄາະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງລະບົບຕ່ອງໂສ້ອຸດສາຫະກໍາ silicon carbide: ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງມູນຄ່າໃນການເຊື່ອມຕໍ່ທາງເທິງ

ໃນລະບົບຕ່ອງໂສ້ອຸດສາຫະກໍາ SiC, ການເຊື່ອມໂຍງການຜະລິດຊັ້ນໃຕ້ດິນແລະຊັ້ນ epitaxial ກວມເອົາສ່ວນໃຫຍ່ຂອງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍອຸປະກອນທັງຫມົດ, ກວມເອົາ 47% ແລະ 23% ຕາມລໍາດັບ. ເມື່ອປຽບທຽບກັບອຸປະກອນທີ່ໃຊ້ຊິລິໂຄນ, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງອຸປະກອນ SiC ແມ່ນມີຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຫຼາຍກວ່າໃນຕົ້ນນ້ໍາ, ແລະມູນຄ່າຂອງການເຊື່ອມໂຍງການຜະລິດແລະການຫຸ້ມຫໍ່ໃນກາງນ້ໍາແລະລຸ່ມແມ່ນຫນ້ອຍ. ນີ້ສະທ້ອນໃຫ້ເຫັນເຖິງຄຸນສົມບັດພິເສດຂອງວັດສະດຸ SiC ແລະຄວາມຊັບຊ້ອນຂອງຂະບວນການຜະລິດ.