安建半導體功率半導體模組封裝工程簽約落腳浙江

5月20日，安建半導體宣布其「功率半導體模組封裝計畫」在浙江海寧經濟開發區簽約落戶，總投資1億元人民幣。此專案旨在打造汽車級IGBT及SiC模組封裝​​產線。安建半導體成立於2021年7月，目前已實現IGBT、SGT-MOS、SJ-MOS三條產品線量產，並推出了具有完全自主產權的1200V-17mΩSiC MOSFET。