Anjian Semiconductor Power Semiconductor Module Packaging Project undirritað og sett í Zhejiang

Hinn 20. maí tilkynnti Anjian Semiconductor að „umbúðaverkefni fyrir kraft hálfleiðara mát“ hafi verið undirritað og gert upp í Haining efnahagsþróunarsvæði, Zhejiang, með heildarfjárfestingu upp á 100 milljónir júana. Verkefnið miðar að því að byggja upp IGBT og SiC mát umbúðir framleiðslulínu fyrir bíla. Anjian Semiconductor var stofnað í júlí 2021. Það hefur nú náð fjöldaframleiðslu á þremur vörulínum: IGBT, SGT-MOS og SJ-MOS, og hleypt af stokkunum 1200V-17mΩ SiC MOSFET með algjörlega sjálfstæðum eignarrétti.