Проект упаковки силовых полупроводниковых модулей Anjian Semiconductor подписан и реализован в Чжэцзяне

20 мая Anjian Semiconductor объявила, что ее «проект по упаковке силовых полупроводниковых модулей» был подписан и реализован в зоне экономического развития Хайнин, Чжэцзян, с общим объемом инвестиций в 100 миллионов юаней. Целью проекта является создание линии по производству корпусов модулей IGBT и SiC автомобильного класса. Компания Anjian Semiconductor была основана в июле 2021 года. К настоящему времени она наладила массовое производство трех линеек продукции: IGBT, SGT-MOS и SJ-MOS, а также выпустила SiC MOSFET 1200 В-17 мОм с полностью независимыми правами собственности.