Anjian Semiconductor Power Semiconductor Module csomagolási projekt aláírása és letelepedése Zhejiangban

Május 20-án az Anjian Semiconductor bejelentette, hogy „teljesítmény-félvezető modul-csomagolási projektjét” aláírták és lebonyolították a Zhejiang állambeli Haining Economic Development Zone-ban, összesen 100 millió jüan befektetéssel. A projekt célja egy autóipari minőségű IGBT- és SiC-modulos csomagolósor felépítése. Az Anjian Semiconductort 2021 júliusában hozták létre. Mára három termékvonalat: IGBT, SGT-MOS és SJ-MOS sorozatban gyártott, és teljesen független tulajdonjoggal piacra dobta az 1200V-17mΩ SiC MOSFET-et.