Anjian Semiconductor Power Semiconductor Module គម្រោង​វេចខ្ចប់​បាន​ចុះ​ហត្ថលេខា​និង​តាំង​ទីលំនៅ​ក្នុង​ទីក្រុង Zhejiang

នៅថ្ងៃទី 20 ខែឧសភា ក្រុមហ៊ុន Anjian Semiconductor បានប្រកាសថា "គម្រោងវេចខ្ចប់ម៉ូឌុល semiconductor ថាមពល" របស់ខ្លួនត្រូវបានចុះហត្ថលេខា និងតាំងទីលំនៅក្នុងតំបន់អភិវឌ្ឍន៍សេដ្ឋកិច្ច Haining ខេត្ត Zhejiang ជាមួយនឹងការវិនិយោគសរុបចំនួន 100 លានយន់។ គម្រោងនេះមានគោលបំណងបង្កើតខ្សែសង្វាក់ផលិតកម្មវេចខ្ចប់ម៉ូឌុល IGBT និង SiC កម្រិតរថយន្ត។ Anjian Semiconductor ត្រូវបានបង្កើតឡើងក្នុងខែកក្កដា ឆ្នាំ 2021។ ឥឡូវនេះវាសម្រេចបាននូវការផលិតទ្រង់ទ្រាយធំនៃខ្សែផលិតផលចំនួនបីគឺ IGBT, SGT-MOS, និង SJ-MOS ហើយបានបើកដំណើរការ 1200V-17mΩ SiC MOSFET ជាមួយនឹងសិទ្ធិកម្មសិទ្ធិឯករាជ្យទាំងស្រុង។