פרויקט אריזת מודול מוליכים למחצה כוח Anjian Semiconductor נחתם והתיישבו בג'ה-ג'יאנג

ב-20 במאי, Anjian Semiconductor הודיעה כי "פרויקט אריזת מודול מוליכים למחצה כוח" שלה נחתם והתיישבו באזור הפיתוח הכלכלי של Haining, Zhejiang, בהשקעה כוללת של 100 מיליון יואן. מטרת הפרויקט היא לבנות קו ייצור של מודולי IGBT ו-SiC בדרגת רכב. Anjian Semiconductor הוקמה ביולי 2021. כעת היא השיגה ייצור המוני של שלושה קווי מוצרים: IGBT, SGT-MOS ו-SJ-MOS, והשיקה 1200V-17mΩ SiC MOSFET עם זכויות קניין עצמאיות לחלוטין.