Anjian Yarımkeçirici Güclü Yarımkeçirici Modul Qablaşdırma Layihəsi Zhejiangda İmzalandı və Yerləşdi

Mayın 20-də Anjian Semiconductor, ümumi sərmayəsi 100 milyon yuan olan Zhejiang, Haining İqtisadi İnkişaf Bölgəsində "güc yarımkeçirici modulu qablaşdırma layihəsi" imzalandığını və məskunlaşdığını elan etdi. Layihənin məqsədi avtomobil səviyyəli IGBT və SiC modul qablaşdırma istehsal xətti qurmaqdır. Anjian Semiconductor 2021-ci ilin iyulunda yaradılıb. İndi o, üç məhsul xəttinin kütləvi istehsalına nail olub: IGBT, SGT-MOS və SJ-MOS və tamamilə müstəqil mülkiyyət hüquqları ilə 1200V-17mΩ SiC MOSFET-i işə salıb.