Micron Technology suunnittelee uuden DRAM-sirutehtaan rakentamista Hiroshiman piirikuntaan, Japaniin

Micron Technology ilmoitti investoivansa noin 27,7-37 miljardia yuania uuden DRAM-sirutehtaan rakentamiseen Hiroshiman prefektuuriin Japaniin. Laitoksen rakentaminen on tarkoitus aloittaa vuoden 2026 alussa ja aloittaa toimintansa vuoden 2027 loppuun mennessä. Lisäksi uusi tehdas asentaa myös EUV-laitteita.