Micron plangt nei EUV Lithographie DRAM Memory Wafer Fab an Hiroshima ze bauen

Micron plangt 600 bis 800 Milliarden Yen ze investéieren fir en neien DRAM Memory Wafer Fabréck zu Hiroshima, Japan ze bauen. D'Wafer Fabréck wäert EUV Lithographie Maschinnen aféieren a plangt de Bau am fréien 2026 ze starten. Et gëtt erwaart datt se offiziell Enn 2027 a Produktioun gesat ginn. Micron wäert offiziell EUV Lithographie Technologie an der nächster Generatioun 1-Gamma (nm) Node aféieren, déi am Joer 2025 masseproduzéiert gëtt.