Η Micron σχεδιάζει να κατασκευάσει νέα μονάδα μνήμης DRAM λιθογραφίας EUV στη Χιροσίμα

Η Micron σχεδιάζει να επενδύσει 600 έως 800 δισεκατομμύρια γιεν για να κατασκευάσει ένα νέο fab μνήμης DRAM στη Χιροσίμα της Ιαπωνίας. Το wafer fab θα εισάγει μηχανές λιθογραφίας EUV και σχεδιάζει να ξεκινήσει την κατασκευή του στις αρχές του 2026. Αναμένεται να τεθεί επίσημα στην παραγωγή στα τέλη του 2027. Η Micron θα εισαγάγει επίσημα την τεχνολογία λιθογραφίας EUV στον κόμβο 1 γάμμα (nm) επόμενης γενιάς που θα παραχθεί μαζικά το 2025.