Micron планує побудувати в Хіросімі нову фабрику з виробництва пластин із пам’яттю EUV для літографії DRAM

Micron планує інвестувати від 600 до 800 мільярдів ієн у будівництво нового заводу з виробництва пластин пам’яті DRAM у Хіросімі, Японія. Фабрика пластин представить машини для літографії EUV і планує розпочати будівництво на початку 2026 року. Очікується, що її офіційно запустять у виробництво наприкінці 2027 року. Micron офіційно запровадить технологію літографії EUV у вузлі наступного покоління 1-гамма (нм), який буде масово вироблятися у 2025 році.