Micron သည် Hiroshima တွင် EUV lithography DRAM memory wafer Fab အသစ်ကိုတည်ဆောက်ရန်စီစဉ်နေသည်။

Micron သည် ဂျပန်နိုင်ငံ၊ ဟီရိုရှီးမားတွင် DRAM memory wafer Fab အသစ်ကို တည်ဆောက်ရန်အတွက် ယန်းငွေ 600 မှ 800 ဘီလီယံအထိ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံရန် စီစဉ်ထားသည်။ wafer Fab သည် EUV lithography စက်များကို မိတ်ဆက်မည်ဖြစ်ပြီး 2026 အစောပိုင်းတွင် စတင်တည်ဆောက်ရန် စီစဉ်ထားသည်။ ၎င်းကို 2027 နှစ်ကုန်တွင် တရားဝင်ထုတ်လုပ်နိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။ Micron သည် 2025 ခုနှစ်တွင် အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မည့် မျိုးဆက်သစ် 1-gamma (nm) node သို့ EUV lithography နည်းပညာကို တရားဝင်မိတ်ဆက်မည်ဖြစ်သည်။