माइक्रोन ने हिरोशिमा में नई ईयूवी लिथोग्राफी डीआरएएम मेमोरी वेफर फैब बनाने की योजना बनाई है

माइक्रोन ने जापान के हिरोशिमा में एक नया DRAM मेमोरी वेफर फैब बनाने के लिए 600 से 800 बिलियन येन का निवेश करने की योजना बनाई है। वेफर फैब ईयूवी लिथोग्राफी मशीनें पेश करेगा और 2026 की शुरुआत में निर्माण शुरू करने की योजना है। इसे 2027 के अंत में आधिकारिक तौर पर उत्पादन में लाने की उम्मीद है। माइक्रोन आधिकारिक तौर पर अगली पीढ़ी के 1-गामा (एनएम) नोड में ईयूवी लिथोग्राफी तकनीक पेश करेगा जिसका 2025 में बड़े पैमाने पर उत्पादन किया जाएगा।