Micron có kế hoạch xây dựng nhà máy wafer bộ nhớ DRAM in thạch bản EUV mới ở Hiroshima

Micron có kế hoạch đầu tư 600 đến 800 tỷ yên để xây dựng nhà máy sản xuất tấm bán dẫn bộ nhớ DRAM mới ở Hiroshima, Nhật Bản. Nhà máy sản xuất tấm bán dẫn sẽ giới thiệu máy in thạch bản EUV và có kế hoạch khởi công xây dựng vào đầu năm 2026. Dự kiến ​​sẽ chính thức đưa vào sản xuất vào cuối năm 2027. Micron sẽ chính thức giới thiệu công nghệ in thạch bản EUV vào nút 1-gamma (nm) thế hệ tiếp theo sẽ được sản xuất hàng loạt vào năm 2025.