মাইক্রন হিরোশিমায় নতুন EUV লিথোগ্রাফি DRAM মেমরি ওয়েফার ফ্যাব তৈরি করার পরিকল্পনা করেছে

50
মাইক্রন জাপানের হিরোশিমায় একটি নতুন DRAM মেমরি ওয়েফার ফ্যাব তৈরি করতে 600 থেকে 800 বিলিয়ন ইয়েন বিনিয়োগ করার পরিকল্পনা করেছে৷ ওয়েফার ফ্যাব EUV লিথোগ্রাফি মেশিন চালু করবে এবং 2026 সালের শুরুর দিকে নির্মাণ শুরু করার পরিকল্পনা করবে। এটি 2027 সালের শেষে আনুষ্ঠানিকভাবে উৎপাদন করা হবে বলে আশা করা হচ্ছে। মাইক্রোন আনুষ্ঠানিকভাবে পরবর্তী প্রজন্মের 1-গামা (এনএম) নোডে EUV লিথোগ্রাফি প্রযুক্তি চালু করবে যা 2025 সালে ব্যাপকভাবে উত্পাদিত হবে।