Micron قصد دارد در هیروشیما، ویفر حافظه DRAM لیتوگرافی جدید EUV بسازد

Micron قصد دارد 600 تا 800 میلیارد ین برای ساخت یک ویفر حافظه DRAM جدید در هیروشیما، ژاپن سرمایه گذاری کند. ویفر فاب ماشین‌های لیتوگرافی EUV را معرفی می‌کند و قصد دارد ساخت آن را در اوایل سال 2026 آغاز کند. انتظار می‌رود در پایان سال 2027 به طور رسمی تولید شود. میکرون به طور رسمی فناوری لیتوگرافی EUV را در نسل بعدی گره 1 گاما (nm) معرفی خواهد کرد که در سال 2025 به تولید انبوه خواهد رسید.