Micron oreko plan omopu'ã haguã fab memoria DRAM litografía EUV pyahu Hiroshima-pe

Micron oreko plan oinverti haguã 600 a 800.000 millones de yens omopu'ã haguã fab pyahu oblea memoria DRAM Hiroshima, Japón-pe. Ko fab oblea oikuaaukáta máquina litografía EUV ha oreko plan oñepyrüvo construcción oñepyrüvo 2026. Oñeha'ãrõ oñemoî oficialmente producción-pe 2027 pahápe. Micron oikuaaukáta oficialmente tecnología litografía EUV nodo 1-gamma (nm) generación oúvape ha ojeproducíva en masa ary 2025-pe.