La memoria de alto ancho de banda de Samsung Electronics no pasa la prueba de Nvidia

Según se informa, la memoria de alto ancho de banda (HBM) de Samsung Electronics no pasó las pruebas de Nvidia a finales de abril. Aunque el director ejecutivo de Nvidia, Jen-Hsun Huang, expresó una vez su aprobación del HBM3E de Samsung Electronics, los resultados de las pruebas no fueron ideales. Samsung Electronics respondió que la prueba aún está en progreso y aún no ha finalizado. Sin embargo, la noticia no impulsó el precio de las acciones de la empresa y la reacción del mercado fue tibia.