Память Samsung Electronics с высокой пропускной способностью не прошла тест Nvidia

Сообщается, что в конце апреля высокоскоростная память Samsung Electronics (HBM) не прошла тесты Nvidia. Хотя генеральный директор Nvidia Дженсен Хуан однажды выразил одобрение HBM3E от Samsung Electronics, результаты испытаний не были идеальными. В Samsung Electronics ответили, что испытание все еще продолжается и еще не закончилось. Однако эта новость не привела к росту котировок акций компании, и реакция рынка была вялой.