Пам'ять високої пропускної здатності Samsung Electronics не пройшла тест Nvidia

Повідомляється, що пам'ять високої пропускної здатності (HBM) Samsung Electronics не пройшла тести Nvidia в кінці квітня. Хоча генеральний директор Nvidia Джен-Хсун Хуанг одного разу висловив схвалення HBM3E від Samsung Electronics, результати тестування не були ідеальними. Samsung Electronics відповіла, що тест ще триває і ще не завершився. Однак ця новина не підвищила курс акцій компанії, і реакція ринку була прохолодною.