„Samsung Electronics“ didelio pralaidumo atmintis nepavyko atlikti „Nvidia“ testo

Pranešama, kad „Samsung Electronics“ didelio pralaidumo atmintis (HBM) nepavyko atlikti „Nvidia“ bandymų balandžio pabaigoje. Nors „Nvidia“ generalinis direktorius Jen-Hsun Huang kartą išreiškė pritarimą „Samsung Electronics“ HBM3E, bandymo rezultatai nebuvo idealūs. „Samsung Electronics“ atsakė, kad bandymas vis dar vyksta ir dar nesibaigė. Tačiau šios naujienos nepakėlė bendrovės akcijų kainos, o rinkos reakcija buvo drungna.