Samsung Electronics-ის მაღალი გამტარუნარიანობის მეხსიერებამ ვერ გაიარა Nvidia ტესტი

როგორც ცნობილია, Samsung Electronics-ის მაღალი გამტარუნარიანობის მეხსიერება (HBM) აპრილის ბოლოს Nvidia-ს ტესტებში ჩავარდა. მიუხედავად იმისა, რომ Nvidia-ს აღმასრულებელმა დირექტორმა ჯენ-ჰსუნ ჰუანგმა ერთხელ გამოხატა მოწონება Samsung Electronics-ის HBM3E-ზე, ტესტის შედეგები იდეალური არ იყო. Samsung Electronics-მა უპასუხა, რომ ტესტი ჯერ კიდევ მიმდინარეობს და ჯერ არ დასრულებულა. თუმცა, სიახლემ კომპანიის აქციების ფასი არ გაზარდა და ბაზრის რეაქცია ნელთბილი იყო.