Texas Instruments သည် gallium nitride တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုစကေးကိုချဲ့ထွင်ကာ ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို လေးဆတိုးစေသည်။

အမေရိကန် ချစ်ပ်ကုမ္ပဏီကြီး Texas Instruments သည် ဂျပန်နိုင်ငံ၊ Aizu ရှိ ၎င်း၏စက်ရုံတွင် ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ်အခြေခံ ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများကို စတင်ထုတ်လုပ်နေပြီဟု ကြေညာခဲ့သည်။ Aizu စက်ရုံတွင် စွမ်းဆောင်ရည် တိုးမြင့်လာမှု၊ တက္ကဆက်ပြည်နယ်၊ Dallas၊ Texas Instruments တွင် ၎င်း၏ လက်ရှိ GaN ထုတ်လုပ်ရေး စက်ရုံများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ပေါင်းစပ်လိုက်ခြင်းဖြင့် ယခုအခါ ၎င်း၏ ပြည်တွင်း၌ ထုတ်လုပ်သည့် GaN-based ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ စွမ်းရည်ကို လေးဆကျော် တိုးမြင့်လာခဲ့သည်။