टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स ने गैलियम नाइट्राइड सेमीकंडक्टर विनिर्माण पैमाने का विस्तार करते हुए उत्पादन क्षमता को चौगुना कर दिया है

अमेरिकी चिप दिग्गज टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स ने घोषणा की कि जापान के आइज़ू में उसके कारखाने ने गैलियम नाइट्राइड-आधारित पावर सेमीकंडक्टर्स का उत्पादन शुरू कर दिया है। आइज़ू संयंत्र में बढ़ी हुई क्षमता के साथ, डलास, टेक्सास में अपनी मौजूदा GaN विनिर्माण सुविधा की क्षमता के साथ, टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स ने अब अपनी आंतरिक रूप से उत्पादित GaN-आधारित पावर सेमीकंडक्टर क्षमता को चार गुना से अधिक बढ़ा दिया है।