Texas Instruments ពង្រីកទំហំផលិតកម្ម Galium nitride semiconductor បង្កើនសមត្ថភាពផលិតបួនដង

ក្រុមហ៊ុនផលិតបន្ទះឈីបដ៏ធំរបស់អាមេរិក Texas Instruments បានប្រកាសថា រោងចក្ររបស់ខ្លួននៅ Aizu ប្រទេសជប៉ុន បានចាប់ផ្តើមផលិតឧបករណ៍ពាក់កណ្តាលចរន្តអគ្គិសនីដែលមានមូលដ្ឋានលើ Galium nitride ។ ជាមួយនឹងការកើនឡើងនៃសមត្ថភាពនៅរោងចក្រ Aizu រួមជាមួយនឹងសមត្ថភាពនៃរោងចក្រផលិត GaN ដែលមានស្រាប់របស់ខ្លួននៅក្នុងទីក្រុង Dallas រដ្ឋ Texas ឥឡូវនេះ TI បានកើនឡើងច្រើនជាងបួនដងនៃសមត្ថភាពផលិត semiconductor ថាមពលដែលមានមូលដ្ឋានលើ GaN ខាងក្នុងរបស់ខ្លួន។