Mitsubishi Electric пачынае прапаноўваць голыя ўзоры кристалла SiC-MOSFET для xEV

Кампанія Mitsubishi Electric Group абвясціла, што з 14 лістапада будзе пастаўляць аксід металу з карбіду крэмнію (SiC) для інвертараў электрычнага прывада для электрамабіляў (EV), гібрыдных аўтамабіляў (PHEV) і іншых электрамабіляў (xEV). Фізічны паўправадніковы палявы транзістар. (MOSFET) узор штампа. Гэта першая стандартная спецыфікацыя Mitsubishi Electric сілавога паўправадніковага чыпа SiC-MOSFET, распрацаваная для задавальнення разнастайных патрэб інвертараў xEV і спрыяння росту папулярнасці xEV.