Mitsubishi Electric bắt đầu cung cấp mẫu khuôn trần SiC-MOSFET cho xEV

Tập đoàn Mitsubishi Electric thông báo sẽ cung cấp oxit kim loại silicon cacbua (SiC) cho bộ biến tần truyền động điện cho xe điện (EV), xe hybrid cắm điện (PHEV) và các loại xe điện khác (xEV) bắt đầu từ ngày 14 tháng 11 Bóng bán dẫn hiệu ứng trường bán dẫn vật lý (MOSFET) mẫu khuôn. Đây là chip bán dẫn công suất SiC-MOSFET có thông số kỹ thuật tiêu chuẩn đầu tiên của Mitsubishi Electric, được thiết kế để đáp ứng nhu cầu đa dạng của bộ biến tần xEV và thúc đẩy sự phổ biến ngày càng tăng của xEV.