Geely Automobile နှင့် Jingneng Microelectronics တို့ ပူးပေါင်းပြီး SiC hybrid module ကို ထုတ်လွှတ်သည်။

168
Geely Automobile Group Central Research Institute သည် New Energy Development Center နှင့် အခြားသော ဌာနဆိုင်ရာများနှင့် အဖွဲ့အစည်းများ ပူးပေါင်းကျင်းပသည့် "Geely Automobile Power Semiconductor Technology Innovation Platform" နှင့် ပါတနာ Jingneng Microelectronics တို့၏ ပထမအဆင့် ရလဒ်များကို ထုတ်ပြန်ခဲ့သည်။ ပထမအဆင့်ရလဒ်မှာ SiC နှင့် IGBT အပြိုင်ဒီဇိုင်းကိုလက်ခံသည့် Taiyi ဟိုက်ဘရစ်ပါဝါစက်ပစ္စည်းဖြစ်ပြီး အမြင့်ဆုံးပါဝါအား 150-260KW အထိ ချဲ့ထွင်နိုင်သည် အဆုံးစွန်သောစနစ်အရွယ်အစားမှာ A4 စာရွက်အရွယ်အစားသာဖြစ်ပြီး လက်ရှိပမာဏမှာ 430A ထက်ကျော်လွန်ပါသည်။